IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界著名半導體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
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IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界著名半導體生產(chǎn)商,公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導體產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速...
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三菱MITSUBISHI模塊現(xiàn)貨供應一件可發(fā),絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)...
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晶體閘流管(Thyristor)又稱作可控硅整流器,曾被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發(fā)出晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極...
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晶閘管模塊又稱可控硅模塊,必須配觸發(fā)電路和保護電路使用,一般用開關場合配過零觸發(fā)電路。在調(diào)節(jié)負載功率大小時配移相觸發(fā)電路來控制可控硅導通角大小改變負載大小,整流管模塊一般用整流,續(xù)流電路中。全新現(xiàn)貨日...
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晶體閘流管(Thyristor)又稱作可控硅整流器,曾被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發(fā)出晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極...
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整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。通常它包含一個PN結,有正極和...
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肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...
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肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...
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熔斷器(fuse)是指當電流超過規(guī)定值時,以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過規(guī)定值一段時間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流...
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肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管(簡稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用...
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